iPhone 6/6+ 64/128G 也可能用上TLC (較差的儲存裝置)

針對傳聞 Apple iPhone 6 並非僅 128GB 型號採用 TLC(Triple-Level Cell) 顆粒， HKEPC 實驗室找來了多台 iPhone 6 64GB 智能手機樣本作出測試，包括太空灰、銀及金色各種顏色而且出貨日期十分接近，結果發現同樣是 iPhone 6 64GB A1586 港行，竟發現了 HYNIX 、 TOSHIBA MLC 顆粒及 TOSHIBA 、 SANDISK TLC 顆粒四個不同版本， HKEPC 實驗室同時針對 MLC 及 TLC 版本 iPhone 6 64GB 進行磁碟性能測試。

TLC : Bigger but Shorter !!

針對傳聞 Apple iPhone 6 並非僅 128GB 型號採用 TLC(Triple-Level Cell) 顆粒， HKEPC 實驗室找來了多台 iPhone 6 64GB 智能手機樣本作出測試，包括太空灰、銀及金色各種顏色而且出貨日期十分接近，結果發現同樣是 iPhone 6 64GB A1586 港行，竟發現了 HYNIX 、 TOSHIBA MLC 顆粒及 TOSHIBA 、 SANDISK TLC 顆粒四個不同版本， HKEPC 實驗室同時針對 MLC 及 TLC 版本 iPhone 6 64GB 進行磁碟性能測試。

Apple 早前被媒體爆料，其新一代 iPhone 6 系列高容量型號中，夾雜了採用平價 TLC 顆粒批次，導致不少 iPhone 6 用戶擔心儲存資料的壽命與安全性。採用 TLC 顆粒無疑可以進一步降低 iPhone 6 生産成本，但作為現時最高階、天價智能手耭， Apple iPhone 6 系列毛利已經高得可怕，還要採用與 MLC 顆粒壽命相距甚遠的 TLC 顆粒，不僅大部份果粉不表認同，相信教主在天之靈也會生氣。

現時採用的 NAND Flash 主要有 3 大種類， SLC 、 MLC 及 TLC ，當中以 SLC 顆粒的耐久及壽命最佳，全名為 Singcle Level Cell 即單層式儲存， Apple 早期曾使用過 SLC 顆粒，主要是當時 MLC 顆粒並不成熟， SLC 顆粒通過對浮置閘極的電荷加壓或消除儲存 1Bit 的資料，其寫入速度高而且抹寫次數高達 10 萬次，缺點是容量低及成本太高難以普及。

直至 MLC 顆粒技術不斷成熟， Apple iOS 裝置基本上全線採用 MLC 顆粒作為主要儲存媒體， MLC 全名為 Multi Level Cell 即多層式儲存， MLC 顆粒通過對浮置閘極的電荷作出精準的電壓等級控制儲存 2Bit 的資料，能提升儲存容量以降低成本，缺點是使用夀命較短抺寫次數約 1 萬次，而且存取速度相較 SLC 慢，現時大部份 SSD 產品均是以 MLC 顆粒為主。

TLC 顆粒則是針對更低階應用為生， TLC 全名為 Triple-Level Cell 即三重式儲存，其技術與 MLC 顆粒相類似，但電壓控制層級由 4 層進一步增至 8 層，由於轉換密度進一步提高，長期使用後出錯機會大幅增加，而且寫入速度比 MLC 相距甚遠，就算透過軟體優化其抹寫壽命也只有 2000-3000 次，因此主要用於平價隨身碟産品、 MP3 播放器、 SD Card 等用途，根本沒想過會被 Apple 應用於高階智能手機中。

早前，市場已傳聞 Apple 在 128GB 型號中使用 TLC 顆粒，但受影響型號僅 iPhone 6+ ，不過看來並沒那麼簡單，據有參與 iPhone 6 生產的代工廠員工透露，不僅 iPhone 6+ 128GB 才有用 TLC 顆粒，基本上 iPhone 6 與 iPhone 6+ 64GB 或以上均有可能是採用 TLC 的版本，買到 MLC 還是 TLC 現時是看運氣。

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