據報導,受到Intel發佈最新Xeon 5600系列伺服器處理器的推動,伺服器市場需求進一步增加,伺服器記憶體所使用的DDR3晶片需求也相應提升。三星今天宣佈,為了滿足伺服器製造商的需求,三星將提升40nm DDR3晶片產能。和60nm DRAM晶片相比,40nm DDR3晶片功耗降低40%。三星目前主要生產1Gb、2Gb和4Gb DDR3晶片,這些晶片將用於1GB、2GB、4GB、8GB、16GB和32GB伺服器記憶體條。三星半導體記憶體行銷部門副總裁Jim Elliott表示,Xeon 5600系列伺服器處理器搭配該DDR3記憶體提高資料傳輸率的同時還能降低伺服器功耗。
三星增產40nm DDR3晶片以滿足伺服器市場需求
沒有留言:
張貼留言