三星終於開始量產PRAM相變存儲芯片

三星電子確認，廣為看好的PRAM相變隨機存儲器終於投入了大規模量產，比原計劃的六月份晚了足有一個季度，距離三星首次展示也已經過去了四年多。

PRAM是一種非易失性存儲技術，通過切換硫系玻璃的結晶態和非結晶態來代表1和0，進而保存數據，不但可以替代做內存使用的動態存儲DRAM，而且讀寫速度可以達到NOR和NAND閃存的30倍以上，讀寫循環壽命也有至少10倍，因此更適合取代閃存技術。

三星首批PRAM芯片採用60nm工藝製造，容量512Mb(64MB)，可在80毫秒內擦除64千字(KW)，是NOR閃存的10多倍，同時在5MB大小的數據區內數據擦除和重寫速度大約是NOR閃存的大約七倍。

三星電子存儲部門移動內存規劃與推廣事業部副總裁Sei-Jin Kim表示：「我們相信PRAM會對手機設計做出非常突出的貢獻，特別是多媒體手機和智能手機。預計它將成為我們在未來的核心存儲產品。」

驅動之家
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